Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 6A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|