Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 60W |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 7A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | 270 |
Hfe | 40/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BDX95 2SD427 BDW51C KT819GM |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|