Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 130MHz |
Cctip,pF | 16 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC635 2N5818 2SB564 2SD400 2SD468 2SC1383 2SD438 KT630G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|