Биполярный транзистор - 2SD5018
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 50W |
| Ucb,max | 600V |
| Uce,max | 275V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 4A |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 150MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
| to220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |