Биполярный транзистор - 2G416
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 100mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 120MHz |
| Cctip,pF | 4 |
| Hfe | 50MIN |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | AFY18 2N2786 |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |