Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 50W |
Ucb,max | 1500V |
Uce,max | 800V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 3.5A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 8MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BU508DF KT839A |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
top3 | Распиновка |
---|---|