Биполярный транзистор - 2SD5076
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 60W |
| Ucb,max | 1500V |
| Uce,max | 800V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 5A |
| Ft,max | 3MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 8MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BU508DF KT839A |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
| top3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |