Биполярный транзистор - 2SD526-R
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 30W |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 4A |
| Ft,max | 3MHz |
| Cctip,pF | 90 |
| Hfe | 40/80 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BUY38 2N3054 KT817G |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |