Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 100V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 3000T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BD651 |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Darlington, Power |
to220 | Распиновка |
---|---|