Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 20V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N2905 KT209G |
Изготовитель |
mebБиполярные транзисторы mebIGBT транзисторы mebFET транзисторы meb |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|