Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | KT342B |
Изготовитель |
mebБиполярные транзисторы mebIGBT транзисторы mebFET транзисторы meb |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|