Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 40/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC109C KT349B |
Изготовитель |
mebБиполярные транзисторы mebIGBT транзисторы mebFET транзисторы meb |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|