Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 420MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
mebБиполярные транзисторы mebIGBT транзисторы mebFET транзисторы meb |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
sot33 | Распиновка |
---|---|