Биполярный транзистор - 3N112

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность pnp
Pc,max 100mW
Ucb,max
Uce,max 50V
Ueb,max
Ic,max 20mA
Ft,max 12MHz
Cctip,pF 10
Hfe
Tj,max 175ºC
Аналоги
Изготовитель

cry

Биполярные транзисторы cry

IGBT транзисторы cry

FET транзисторы cry
Назначение
to72 Распиновка