Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 6V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 600MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 30/150 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BSX20 2N2369 KT316V |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение | Ultra High Frequency, Switching |
to18 | Распиновка |
---|---|