Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BC109 2N930 KT3102D |
Изготовитель |
cryБиполярные транзисторы cryIGBT транзисторы cryFET транзисторы cry |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
lcc3 | Распиновка |
---|---|