Биполярный транзистор - 563BSY
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 110V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 200mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 30MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BSS63 |
| Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| sot23 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |