Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 750mW |
Ucb,max | - |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD507 |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Power, General Purpose |
to237 | Распиновка |
---|---|