Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 750mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 6000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to237 | Распиновка |
---|---|