Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | 50 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 90ºC |
Аналоги | AC162 2N406 MGT108D |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|