Биполярный транзистор - AF102
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 50mW |
| Ucb,max | 25V |
| Uce,max | 12V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 60MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 20MIN |
| Tj,max | 75ºC |
| Аналоги | AF124 2N990 GT322V |
| Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
| Назначение | RF, Medium Power General Purpose |
| to7 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |