Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC109 2N930 KT342B |
Изготовитель |
ateБиполярные транзисторы ateIGBT транзисторы ateFET транзисторы ate |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|