Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 75mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 50MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF200 2N990 GT322V |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to72 | Распиновка |
---|---|