Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 156mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 105MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF139 2N3283 GT309B |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | VHF, Low Power |
to72 | Распиновка |
---|---|