Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 112mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 350MHz |
Cctip,pF | 0.4 |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 90ºC |
Аналоги | AF239 2N3323 GT330I |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | UHF, Low Power |
to72 | Распиновка |
---|---|