Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 32V |
Uce,max | 32V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 90ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
Назначение | VHF, Medium Power, Hihg Current |
to39 | Распиновка |
---|---|