Биполярный транзистор - 2N2605
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 45V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 30mA |
| Ft,max | 30MHz |
| Cctip,pF | 6 |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | BC179 2N3965 KT3107B |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
| to46 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |