Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 75V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 800KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC213 2N3965 KT502E |
Изготовитель |
htnБиполярные транзисторы htnIGBT транзисторы htnFET транзисторы htn |
Назначение | Low Power, General Purpose |
r14 | Распиновка |
---|---|