Биполярный транзистор - 2N1006
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 15V |
| Uce,max | 15V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 25mA |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 25/150 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BC107 A157 KT301B |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |