Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 50/100 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC308 2N3965 KT349V |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|