Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 45V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 7 |
Hfe | 140MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC309 2N6003 BC327 KT3107E |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|