Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 360mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 9 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BCY71 2N3965 KT315B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|