Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 8000T |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
Назначение | Darlington, Low Power |
to72-3 | Распиновка |
---|---|