Биполярный транзистор - 2N1013
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 750mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 40V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 75T |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |