Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 110/220 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC237B 2N5818 2SC945 2SC828A KT3102A |
Изготовитель |
general semiБиполярные транзисторы general semiIGBT транзисторы general semiFET транзисторы general semi |
Назначение | Medium Power, Darlington |
to92 | Распиновка |
---|---|