Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 45V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 2000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BSR60 |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to92 | Распиновка |
---|---|