Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 90V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 150MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC307 2N6015 KT3107B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|