Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 750mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BC337 2N5818 KT504B |
Изготовитель |
general semiБиполярные транзисторы general semiIGBT транзисторы general semiFET транзисторы general semi |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|