Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 14V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 80MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 4000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC517 2N6426 |
Изготовитель |
general semiБиполярные транзисторы general semiIGBT транзисторы general semiFET транзисторы general semi |
Назначение | Darlington, Medium Power |
to226 | Распиновка |
---|---|