Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 30W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 160V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 3MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD243F 2N6473 |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|