Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 60V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 500KHz |
Cctip,pF | 70 |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hughesБиполярные транзисторы hughesIGBT транзисторы hughesFET транзисторы hughes |
Назначение | Dual |
to77-1 | Распиновка |
---|---|