Биполярный транзистор - 2N2872
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 110V |
| Uce,max | 110V |
| Ueb,max | 11V |
| Ic,max | 200mA |
| Ft,max | 500KHz |
| Cctip,pF | 70 |
| Hfe | 15MIN |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
hughesБиполярные транзисторы hughesIGBT транзисторы hughesFET транзисторы hughes |
| Назначение | Dual |
| to77-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |