Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 115W |
Ucb,max | 90V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 20A |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/150 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD249B TIP35B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|