Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 115W |
Ucb,max | 170V |
Uce,max | 160V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 20A |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD250E |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|