Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 600mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 35/300 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BSW24 2N4026 KT313V |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | High-speed saturated switching and general |
to18 | Распиновка |
---|---|