Биполярный транзистор - BD912
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 90W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 100V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 15A |
| Ft,max | 3MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 15/150 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BD744C 2N6491 MJE2955T ECG332 |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |