Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 25W |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | 140V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 4MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 60MIN |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|