Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 87W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 140V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 6A |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 15/180 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | KT812V |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
to3 | Распиновка |
---|---|