Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 40V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 5MHz |
Cctip,pF | 10 |
Hfe | 80/100 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to46 | Распиновка |
---|---|