Биполярный транзистор - BDY63
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 50W |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 10A |
| Ft,max | 40MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 30/150 |
| Tj,max | 200ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
| Назначение | High Power, High Voltage, High Frequency |
| to61 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |